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NIR-01-PL光致發(fā)光升級(jí)系統(tǒng)
 


    NIR-01-PL光致發(fā)光升級(jí)系統(tǒng)是Phys最新開發(fā)的一套用在NIR-01紅外探傷儀上的升級(jí)組件,這是根據(jù)太陽能生產(chǎn)廠商要求所做的功能擴(kuò)展。經(jīng)過升級(jí)后NIR-01紅外探傷儀將擁有以下功能:
    紅外檢測(cè):隱裂、孔洞、微晶、夾雜等,擁有一樣的參數(shù)、功能和使用方法
    檢測(cè)高度拓展至420mm
    可集成的光致發(fā)光檢測(cè)功能:
           PL成像
           生成基于PL檢測(cè)的切割線
           生成少子壽命分布圖及少子壽命切割線
           根據(jù)雜質(zhì)和缺陷預(yù)測(cè)硅片加工成電池片后的效率

升級(jí)詳情:
一、檢測(cè)高度升級(jí),拓展至420mm:
硅錠檢測(cè)尺寸可達(dá)到210x210x420mm
采用新的設(shè)計(jì),隱藏驅(qū)動(dòng)電機(jī)
 

二、加入PL光致發(fā)光檢測(cè)模塊
    PL光致發(fā)光檢測(cè)模塊可在客戶的授權(quán)下由Phys工程師升級(jí)。我們升級(jí)過程將最大化的縮短停機(jī)時(shí)間。
一個(gè)精密的激光系統(tǒng)將安裝到NIR-01,技術(shù)細(xì)節(jié):
采用實(shí)時(shí)保護(hù)的專用電源(計(jì)算機(jī)控制)
精密的TEC溫度確保激光的長時(shí)間工作
采用安全開關(guān)遵循安全條例安裝到機(jī)器上
升級(jí)NIR-01的運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)
軟件升級(jí)


技術(shù)指標(biāo):
硅錠尺寸:156x156x420mm
檢測(cè)效率:實(shí)時(shí)的50fps紅外影像
           8s采集PL圖像
           1min內(nèi)完成四個(gè)面的IR+PL分析
PL分辨率:0.1mm
表面要求:未處理或拋光
IR、PL檢測(cè)在同一個(gè)載物臺(tái)


軟件升級(jí):
升級(jí)后NIRVision軟件保持通用的界面和功能,此外集成PL圖像和分析功能。


擁有PL檢測(cè)圖像的3D視圖
生成基于閥值的切割線(亮度/對(duì)照少子壽命)
雜質(zhì)和缺陷面積可計(jì)算(可選)
切割模型預(yù)測(cè)(可選)

部分公開客戶名單:
Silicio Solar - Spain
Pillar JSC - Ukraine
Q-Cell- Germany
PV Crystalox - England
DC Wafers - Spain
Lux s.r.l. – Italy
……

實(shí)例檢測(cè)結(jié)果(下一頁)
 
檢測(cè)結(jié)果舉例:
1、檢測(cè)原理及PL發(fā)光峰檢測(cè)結(jié)果
 

PL光致發(fā)光系統(tǒng)簡單示意圖

 

 NIR- 01 PL檢測(cè)發(fā)光波峰結(jié)果
                   

    通常利用特定波長的激光作為激發(fā)光源,提供一定能量的光子,樣片中處于基態(tài)的電子在吸收這些光子后而進(jìn)入激發(fā)態(tài),處于激發(fā)態(tài)的電子屬于亞穩(wěn)態(tài),在短時(shí)間內(nèi)會(huì)回到基態(tài),并發(fā)出1150 nm(SI電池為例)左右的紅外光為波峰的熒光。利用高靈敏高分辨率的照相機(jī)進(jìn)行感光,然后將圖像通過軟件進(jìn)行分析。
    發(fā)光的強(qiáng)度與本位置的非平衡少數(shù)載流子的濃度成正比,而缺陷將是少數(shù)載流子的強(qiáng)復(fù)合中心,因此該區(qū)域的少數(shù)載流子濃度變小導(dǎo)致熒光效應(yīng)減弱,在圖像上表現(xiàn)出來就成為暗色的點(diǎn)、線,或一定的區(qū)域,而在樣片內(nèi)復(fù)合較少的區(qū)域則表現(xiàn)為比較亮的區(qū)域。因此,可通過觀察光致發(fā)光成像,來判斷樣片是否存在缺陷,雜質(zhì)等等最終影響電池效率的因素。
2、硅塊PL檢測(cè)結(jié)果

    硅塊PL結(jié)果為合能陽光獨(dú)家檢測(cè),設(shè)備是匈牙利PHYS公司NIR-01光致發(fā)光升級(jí)系統(tǒng)。
    通過這個(gè)結(jié)果可以很明顯的找到去頭尾線,為晶塊的品質(zhì)提供非常快速和精準(zhǔn)的檢測(cè)。
    另外,立體檢測(cè),可以對(duì)樣品進(jìn)行不同角度的分析。

3、PL與uPCD結(jié)果對(duì)比
 


(1) PL結(jié)果與uPCD少子壽命結(jié)果對(duì)比,通過擬合兩者間匹配度達(dá)98.65%
(2) PL圖像能夠直觀和準(zhǔn)確的反應(yīng)出樣品表面的問題,而uPCD不能實(shí)現(xiàn)
(3) PL像素可分辨0.175mm2,而uPCD僅可分辨1 mm2
4、PL與IR結(jié)果

 

 1.PL和紅外都可以檢測(cè)到樣品的裂紋
 2.PL和紅外結(jié)果可實(shí)現(xiàn)相互對(duì)比分析

通過IR和PL的共同分析,可以精確劃分硅塊的頭尾線。避免SIC對(duì)后續(xù)切片的影響。

 

其他結(jié)果不再一一列舉,如需要更多資料請(qǐng)聯(lián)系合能陽光!


 

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